25V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
P-Channel 25V 145mA Ta 360mW Ta Surface Mount X2-DFN0806-3
得捷:
MOSFET P-CH 25V 145MA 3DFN
贸泽:
MOSFET 25V P-Ch Enh FET 360pD -25Vdss -8Vgss
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 25V 0.166A 3-Pin X2-DFN T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 25V 0.166A 3-Pin X2-DFN0806 T/R
极性 P-CH
耗散功率 360 mW
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 0.166A
上升时间 2.3 ns
输入电容Ciss 27.2pF @10VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DFN0806-3
封装 DFN0806-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free