DMP2066LSN-7 编带
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage | 20V
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最大栅源极电压Vgs±
Gate-Source Voltage | 12V
最大漏极电流Id
Drain Current | 4.6A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State | • 40 mΩ @VGS = -4.5V
• 70 mΩ @VGS = -2.5V
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage | 1.2V
耗散功率Pd
Power dissipation | 1.25W
描述与应用
Description & Applications | | •低RDS(ON): | •40mΩ的@VGS=-4.5V | •70mΩ的@VGS=-2.5V | •低输入/输出泄漏 | •铅的设计免费/ RoHS规定(注3) | •符合AEC-Q101标准的高可靠性 | •"绿色"设备(注4)
通道数 1
极性 P-CH
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 4.6A
上升时间 9.9 ns
输入电容Ciss 820pF @15VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 23.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
宽度 1.7 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DMP2066LSN-7 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
SI2399DS-T1-GE3 威世 | 功能相似 | DMP2066LSN-7和SI2399DS-T1-GE3的区别 |