DMHC10H170SFJ-13

DMHC10H170SFJ-13图片1
DMHC10H170SFJ-13概述

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.9A/2.3A Automotive 12Pin VDFN EP T/R

Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel H-Bridge 100V 2.9A, 2.3A 2.1W Surface Mount V-DFN5045-12


得捷:
MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this DMHC10H170SFJ-13 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 2100 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N|P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.9A/2.3A 12-Pin DFN T/R


DMHC10H170SFJ-13中文资料参数规格
技术参数

通道数 4

极性 N+P

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 2.9A/2.3A

输入电容Ciss 1167pF @25VVds

额定功率Max 2.1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 12

封装 VDFN5045-12

外形尺寸

封装 VDFN5045-12

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DMHC10H170SFJ-13引脚图与封装图
DMHC10H170SFJ-13引脚图
DMHC10H170SFJ-13封装图
DMHC10H170SFJ-13封装焊盘图
在线购买DMHC10H170SFJ-13
型号: DMHC10H170SFJ-13
制造商: Diodes 美台
描述:Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.9A/2.3A Automotive 12Pin VDFN EP T/R

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