DMP2100U-7 编带
表面贴装型 P 通道 20 V 4.3A(Ta) 800mW(Ta) SOT-23-3
得捷:
MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
立创商城:
P沟道 20V 4.3A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 20 V, 4.3 A, 0.025 ohm, SOT-23, 表面安装
艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then Diodes Zetex&s;s DMP2100U-7 power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 1300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
Allied Electronics:
P-Channel Enhancement MOSFET SOT-23
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
P-沟道 20 V 38 mΩ 9.1 nC 表面贴装 增强型 Mosfet - SOT-23
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; 0.8W; SOT23
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# DIODES INC. DMP2100U-7 MOSFET, P-CH, -20V, SOT-23-3
儒卓力:
**P-CH MOS-FET 4,3A 20V SOT23 **
Win Source:
MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
针脚数 3
漏源极电阻 0.025 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 800 mW
阈值电压 1.4 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 4.3A
上升时间 155 ns
输入电容Ciss 216pF @15VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 423 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DMP2100U-7 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DMG3415U-13 美台 | 功能相似 | DMP2100U-7和DMG3415U-13的区别 |