晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 30 V, 0.048 ohm, 4.5 V, 1.5 V
表面贴装型 N 通道 2.6A(Ta) 500mW(Ta) SOT-323
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MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
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N沟道 30V 2.6A
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MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC
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通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 70 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 1.1 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 2.6A
上升时间 5.2 ns
输入电容Ciss 447pF @10VVds
额定功率Max 500 mW
下降时间 6.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1100 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
封装 SOT-323-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free