DMT10H015LFG-7参数规格_中文资料_数据手册PDF

DMT10H015LFG-7概述

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

表面贴装型 N 通道 100 V 10A（Ta），42A（Tc） 2W（Ta），35W（Tc） PowerDI3333-8

得捷:
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 10A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 10A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R

DMT10H015LFG-7中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 1871pF @50VVds

下降时间 8.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta, 35W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerDI-3333-8

外形尺寸

封装 PowerDI-3333-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMT10H015LFG-7

型号： DMT10H015LFG-7

制造商： Diodes 美台

描述：100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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