DMT6016LSS-13

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DMT6016LSS-13概述

DMT6016LSS-13 编带

DMT6016 Series 60 V 9.2 A 18 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8


得捷:
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO


立创商城:
N沟道 60V 9.2A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A Automotive 8-Pin SO T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC


DMT6016LSS-13中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.1 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 9.2A

上升时间 5.2 ns

输入电容Ciss 864pF @30VVds

额定功率Max 1.5 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMT6016LSS-13
型号: DMT6016LSS-13
制造商: Diodes 美台
描述:DMT6016LSS-13 编带

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