2个P沟道 60V 3.3A
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 60V 3.3A 1.2W 表面贴装型 8-SO
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极性 P-CH
耗散功率 1.8 W
输入电容 969 pF
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 3.3A
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 969pF @30VVds
额定功率Max 1.2 W
下降时间 42 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1800 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.95 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free