DMN2011UFDE-7

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DMN2011UFDE-7概述

N沟道 20V 11.7A

In addition to amplifying electronic signals, you"ll be able to switch between various lines with the power MOSFET, developed by Zetex. Its maximum power dissipation is 1970 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

DMN2011UFDE-7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.97 W

输入电容 2248 pF

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 11.7A

上升时间 2.6 ns

输入电容Ciss 2248pF @10VVds

额定功率Max 610 mW

下降时间 13.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 610mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 UDFN2020-6

外形尺寸

长度 2.05 mm

封装 UDFN2020-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMN2011UFDE-7
型号: DMN2011UFDE-7
制造商: Diodes 美台
描述:N沟道 20V 11.7A

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