DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7图片1
DMN2013UFX-7图片2
DMN2013UFX-7图片3
DMN2013UFX-7图片4
DMN2013UFX-7图片5
DMN2013UFX-7概述

Trans MOSFET N-CH 20V 10A Automotive 6Pin WDFN EP T/R

Mosfet Array 2 N-Channel Dual Common Drain 20V 10A Ta 2.14W Surface Mount W-DFN5020-6


得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN


DMN2013UFX-7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2140 mW

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 20.3 ns

输入电容Ciss 2607pF @10VVds

额定功率Max 780 mW

下降时间 13.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2140 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 VFDFN-6

外形尺寸

高度 0.88 mm

封装 VFDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMN2013UFX-7
型号: DMN2013UFX-7
制造商: Diodes 美台
描述:Trans MOSFET N-CH 20V 10A Automotive 6Pin WDFN EP T/R

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台