DMN4020LFDE-7

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DMN4020LFDE-7概述

N沟道 40V 8A

N-Channel 40V 8A Ta 660mW Ta Surface Mount U-DFN2020-6 Type E


得捷:
MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN


立创商城:
N沟道 40V 8A


贸泽:
MOSFET FET BVDSS 31V 40V N-Ch 8A 28Vgs 1060pF


艾睿:
Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? Diodes Zetex&s;s DMN4020LFDE-7 power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 2030 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
MOSFET N-Ch 40V 8A Enhanc. U-DFN2020-6


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 9.5A 6-Pin DFN T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R


儒卓力:
**N-CH 40V 8A 20mOhm U-DFN2020-6 **


DMN4020LFDE-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 20 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 2.03 W

阈值电压 2.4 V

输入电容 1060 pF

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 8A

上升时间 7.1 ns

输入电容Ciss 1060pF @20VVds

额定功率Max 660 mW

下降时间 4.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 660mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 UDFN2020-6

外形尺寸

长度 2.05 mm

封装 UDFN2020-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DMN4020LFDE-7
型号: DMN4020LFDE-7
制造商: Diodes 美台
描述:N沟道 40V 8A

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