DMG3415U-7 编带
是一款P沟道增强型MOSFET, 模压塑料外壳, 可焊接, 镀雾锡退火铜引线端子, 符合MIL-STD-202标准。该器件设计最大限度地降低导通电阻RDS ON, 同时具有卓越的开关性能, 适用于高效电源管理应用。
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- 低导通电阻
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- 低输入电容
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- 快速开关速度
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- 低输入/输出泄漏
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- 无卤素, 绿色设备
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- J-STD-020标准, 湿度灵敏度等级为1
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- UL94V-0 阻燃等级
针脚数 3
漏源极电阻 31 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 900 mW
阈值电压 550 mV
输入电容 294 pF
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 117 ns
输入电容Ciss 294pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 393 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 900mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 国防, 军用与航空, Power Management, Defence, Military & Aerospace, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
军工级 Yes
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DMG3415U-7 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
SI2399DS-T1-GE3 威世 | 功能相似 | DMG3415U-7和SI2399DS-T1-GE3的区别 |
PMV65XP 恩智浦 | 功能相似 | DMG3415U-7和PMV65XP的区别 |