P-沟道 30 V 25 mΩ 22 nC 表面贴装 增强型 Mosfet - TO-252
表面贴装型 P 通道 30 V 27A(Tc) 1.6W(Ta) TO-252-3
得捷:
MOSFET P-CH 30V 27A TO252
立创商城:
P沟道 30V 27A
e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -27 A, -30 V, 0.02 ohm, -10 V, -2.4 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 27A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 27A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
儒卓力:
**P-CH -30V -27A 25mOhm TO252 **
针脚数 3
漏源极电阻 0.02 Ω
极性 P-CH
耗散功率 2.8 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 27A
上升时间 17.1 ns
输入电容Ciss 1241pF @15VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 40.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2800 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free