DZT955-13

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DZT955-13概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP 1W

- 双极 BJT - 单 PNP 150MHz 表面贴装型 SOT-223


得捷:
TRANS PNP 140V 4A SOT223-3


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP 1W


艾睿:
Diodes Zetex brings you the solution to your high-voltage BJT needs with their PNP DZT955-13 general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 140 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT PNP 140V 4A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 140V 4A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 140V 4A 1000mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
TRANS PNP 140V 4A SOT-223


DeviceMart:
TRANS PNP 140V 4A SOT-223


DZT955-13中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 140 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DZT955-13
型号: DZT955-13
制造商: Diodes 美台
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP 1W
替代型号DZT955-13
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DZT955-13

Diodes 美台

当前型号

当前型号

DPLS4140E-13

美台

完全替代

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