DMN3200U-7

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DMN3200U-7概述

N沟道 30V 2.2A

表面贴装型 N 通道 2.2A(Ta) 650mW(Ta) SOT-23-3


得捷:
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3


立创商城:
N沟道 30V 2.2A


贸泽:
MOSFET 650mW 30Vdss


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then Diodes Zetex&s;s DMN3200U-7 power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 650 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3


DMN3200U-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 90 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 0.65 W

输入电容 290 pF

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 2.2A

上升时间 43.1 ns

输入电容Ciss 290pF @10VVds

额定功率Max 650 mW

下降时间 104 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 650mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买DMN3200U-7
型号: DMN3200U-7
制造商: Diodes 美台
描述:N沟道 30V 2.2A

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