DMG4N65CT

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DMG4N65CT概述

Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3Pin TO-220 Tube

通孔 N 通道 4A(Tc) 2.19W(Ta) TO-220-3


得捷:
MOSFET N CH 650V 4A TO220-3


贸泽:
MOSFET N-CH MOSFET 650V 4A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 4A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Allied Electronics:
MOSFET N-channel 650V 4A TO-220


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 4A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


DMG4N65CT中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 2.1 Ω

极性 N-CH

耗散功率 2.19 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 13.8 ns

输入电容Ciss 900pF @25VVds

额定功率Max 2.19 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2.19W Ta

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买DMG4N65CT
型号: DMG4N65CT
制造商: Diodes 美台
描述:Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3Pin TO-220 Tube
替代型号DMG4N65CT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Diodes 美台

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美台

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