双 N-沟道 30 V 30 mOhm 6 nC 1.5 W 硅 表面贴装 Mosfet - SOIC-8
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 6.7A 1.5W Surface Mount 8-SO
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2个N沟道 30V 6.7A
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MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO
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MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A
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Trans MOSFET N-CH 30V 6.7A Automotive 8-Pin SO T/R
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Dual MOSFET N-channel 30V 6.7A SO-8
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MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R; 2.5K
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Trans MOSFET N-CH 30V 6.7A Automotive 8-Pin SO T/R
Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO
DeviceMart:
MOSFET N CH DUAL 30V 6.7A SO-8
极性 N-CH
耗散功率 1.5 W
输入电容 697 pF
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 6.7A
上升时间 4.4 ns
输入电容Ciss 697pF @15VVds
额定功率Max 1.5 W
下降时间 4.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.95 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC