DNLS160V-7

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DNLS160V-7概述

Trans GP BJT NPN 60V 1A 300mW Automotive 6Pin SOT-563 T/R

Compared to other transistors, the NPN general purpose bipolar junction transistor, developed by Zetex, can offer a high-voltage solution in your circuit. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

DNLS160V-7中文资料参数规格
技术参数

频率 270 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买DNLS160V-7
型号: DNLS160V-7
制造商: Diodes 美台
描述:Trans GP BJT NPN 60V 1A 300mW Automotive 6Pin SOT-563 T/R
替代型号DNLS160V-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DNLS160V-7

Diodes 美台

当前型号

当前型号

DSS4160V-7

美台

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DNLS160V-7和DSS4160V-7的区别

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