DCP53-13

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DCP53-13概述

TRANS PNP BIPO DC GAIN SOT-223

Bipolar BJT Transistor


得捷:
TRANS PNP 80V 1A SOT-223


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
TRANS PNP 80V 1A SOT-223


DCP53-13中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

额定功率Max 1 W

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DCP53-13
型号: DCP53-13
制造商: Diodes 美台
描述:TRANS PNP BIPO DC GAIN SOT-223
替代型号DCP53-13
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DCP53-13

Diodes 美台

当前型号

当前型号

BCP53TA

美台

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