DNLS350E-13 编带
- 双极 BJT - 单 NPN 50 V 3 A 100MHz 1 W 表面贴装型 SOT-223-3
得捷:
TRANS NPN 50V 3A SOT223-3
立创商城:
NPN 50V 3A
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 1W
艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 3A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Allied Electronics:
Low VCEsat NPN Transistor SOT-223
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 3A 3000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Win Source:
TRANS NPN 50V 3A SOT-223
DeviceMart:
TRANS NPN BIPO 50V 3A SOT-223
频率 100 MHz
额定功率 1 W
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 2V
最大电流放大倍数hFE 200 @0.5A, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DNLS350E-13 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
PBSS4350Z,135 安世 | 功能相似 | DNLS350E-13和PBSS4350Z,135的区别 |
BDP947 英飞凌 | 功能相似 | DNLS350E-13和BDP947的区别 |