DNLS350E-13

DNLS350E-13图片1
DNLS350E-13图片2
DNLS350E-13图片3
DNLS350E-13图片4
DNLS350E-13图片5
DNLS350E-13图片6
DNLS350E-13图片7
DNLS350E-13图片8
DNLS350E-13图片9
DNLS350E-13图片10
DNLS350E-13概述

DNLS350E-13 编带

- 双极 BJT - 单 NPN 50 V 3 A 100MHz 1 W 表面贴装型 SOT-223-3


得捷:
TRANS NPN 50V 3A SOT223-3


立创商城:
NPN 50V 3A


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 1W


艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 3A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Allied Electronics:
Low VCEsat NPN Transistor SOT-223


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 3A 3000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
TRANS NPN 50V 3A SOT-223


DeviceMart:
TRANS NPN BIPO 50V 3A SOT-223


DNLS350E-13中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定功率 1 W

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 2V

最大电流放大倍数hFE 200 @0.5A, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DNLS350E-13
型号: DNLS350E-13
制造商: Diodes 美台
描述:DNLS350E-13 编带
替代型号DNLS350E-13
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DNLS350E-13

Diodes 美台

当前型号

当前型号

PBSS4350Z,135

安世

功能相似

DNLS350E-13和PBSS4350Z,135的区别

BDP947

英飞凌

功能相似

DNLS350E-13和BDP947的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台