DMT6009LK3-13

DMT6009LK3-13图片1
DMT6009LK3-13图片2
DMT6009LK3-13概述

MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

表面贴装型 N 通道 13.3A(Ta),57A(Tc) 2.6W(Ta) TO-252-3


得捷:
MOSFET N-CH 60V 13.3A/57A TO252


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this DMT6009LK3-13 power MOSFET from Diodes Zetex. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This Wirewound channel MOSFET transistor operates in rf chip mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -40 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 57A 3-Pin TO-252 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 13.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252


DMT6009LK3-13中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.6 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 13.3A

上升时间 8.6 ns

输入电容Ciss 1925pF @30VVds

下降时间 15.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.6W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMT6009LK3-13
型号: DMT6009LK3-13
制造商: Diodes 美台
描述:MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台