DZT953-13

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DZT953-13概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 1W -100V -5A

- 双极 BJT - 单 PNP 125MHz 表面贴装型 SOT-223


立创商城:
PNP 100V 5A 停产


得捷:
TRANS PNP 100V 5A SOT223-3


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 1W -100V -5A


艾睿:
Implement this versatile PNP DZT953-13 GP BJT from Diodes Zetex into an electronic circuit to be used as a current or voltage-controlled switch or amplifier. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 3000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.


安富利:
Trans GP BJT PNP 100V 5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 100V 5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
TRANS PNP 100V 5A SOT223


DeviceMart:
TRANS PNP 5A 100V MED PWR SOT223


DZT953-13中文资料参数规格
技术参数

频率 125 MHz

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 1V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

高度 1.6 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DZT953-13
型号: DZT953-13
制造商: Diodes 美台
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 1W -100V -5A
替代型号DZT953-13
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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