DMT6016LFDF-13

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DMT6016LFDF-13概述

MOSFET 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

N-Channel 60V 8.9A Ta 820mW Ta Surface Mount U-DFN2020-6 Type F


得捷:
MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN


贸泽:
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A


艾睿:
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET


安富利:
MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T&R; 10K


DMT6016LFDF-13中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.9 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 5.2 ns

输入电容Ciss 864pF @30VVds

额定功率Max 820 mW

下降时间 6.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 820mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 uDFN-6

外形尺寸

封装 uDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMT6016LFDF-13
型号: DMT6016LFDF-13
制造商: Diodes 美台
描述:MOSFET 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

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