DMP2130LDM-7

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DMP2130LDM-7概述

P沟道,Vdss=20V,Idss=3.4A

表面贴装型 P 通道 20 V 3.4A(Ta) 1.25W SOT-26


得捷:
MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26


立创商城:
P沟道 20V 3.4A


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this DMP2130LDM-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 1250 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin SOT-563 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin SOT-563 T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26


DMP2130LDM-7中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1.25 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 3.4A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 443pF @16VVds

额定功率Max 1.25 W

下降时间 41 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-23-6

外形尺寸

封装 SOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买DMP2130LDM-7
型号: DMP2130LDM-7
制造商: Diodes 美台
描述:P沟道,Vdss=20V,Idss=3.4A
替代型号DMP2130LDM-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DMP2130LDM-7

Diodes 美台

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美台

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