DMN3009SFG-7

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DMN3009SFG-7概述

MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

表面贴装型 N 通道 16A(Ta),45A(Tc) 900mW(Ta) PowerDI3333-8


得捷:
MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333


贸泽:
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson


Verical:
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET


DMN3009SFG-7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 900 mW

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 4.1 ns

输入电容Ciss 2000pF @15VVds

下降时间 14.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 900mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerDI-3333-8

外形尺寸

封装 PowerDI-3333-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMN3009SFG-7
型号: DMN3009SFG-7
制造商: Diodes 美台
描述:MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333
替代型号DMN3009SFG-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DMN3009SFG-7

Diodes 美台

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DMN3009SFG-7和DMN3009SFG-13的区别

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