N沟道 60V 22A
表面贴装型 N 通道 60 V 22A(Ta),90A(Tc) 2.1W(Ta),105W(Tc) PowerDI5060-8
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N沟道 60V 22A
得捷:
MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
贸泽:
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
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Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 8-Pin PowerDI 5060 T/R
儒卓力:
**N-CH 60V 90A 3,1mOhm PwDI5060-8 **
通道数 1
漏源极电阻 2.8 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 2.1 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 22A
上升时间 17.7 ns
输入电容Ciss 4515pF @30VVds
下降时间 32.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerDI-5060-8
长度 5.8 mm
宽度 4.9 mm
高度 1 mm
封装 PowerDI-5060-8
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99