DMP2022LSS-13

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DMP2022LSS-13概述

P-沟道 20 V 13 mOhm 2.5 W 表面贴装 增强型 Mosfet - SOIC-8

表面贴装型 P 通道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP


得捷:
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP


立创商城:
P沟道 20V 10A


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this DMP2022LSS-13 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 2500 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
Single P-Channel Enhancement MOSFET SOP8


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 10A Automotive 8-Pin SOP T/R


Newark:
# DIODES INC.  DMP2022LSS-13  MOSFET, P-CH, -20V, SOIC-8


儒卓力:
**P-CH -20V -10A 13mOhm SO-8 **


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC


DeviceMart:
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC


DMP2022LSS-13中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.008 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 770 mV

输入电容 2444 pF

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 9.9 ns

输入电容Ciss 2444pF @10VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 76.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5.3 mm

宽度 4.1 mm

高度 1.50 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

DMP2022LSS-13引脚图与封装图
DMP2022LSS-13引脚图
DMP2022LSS-13封装图
DMP2022LSS-13封装焊盘图
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型号: DMP2022LSS-13
制造商: Diodes 美台
描述:P-沟道 20 V 13 mOhm 2.5 W 表面贴装 增强型 Mosfet - SOIC-8

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