DMT69M8LSS-13

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DMT69M8LSS-13概述

N沟道 60V 9.8A

表面贴装型 N 通道 9.8A(Ta) 1.25W(Ta) 8-SO


得捷:
MOSFET N-CH 60V 9.8A 8SO T&R; 2


立创商城:
N沟道 60V 9.8A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 9.8A 8-Pin SO T/R


DMT69M8LSS-13中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.25W Ta

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 9.8A

上升时间 8.6 ns

输入电容Ciss 1925pF @30VVds

下降时间 15.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.25W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMT69M8LSS-13
型号: DMT69M8LSS-13
制造商: Diodes 美台
描述:N沟道 60V 9.8A

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