DMN2028UFDF-7

DMN2028UFDF-7图片1
DMN2028UFDF-7概述

MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6

表面贴装型 N 通道 7.9A(Ta) 660mW(Ta) U-DFN2020-6(F 类)


得捷:
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN


艾睿:
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 6-Pin UDFN T/R


Verical:
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET


DMN2028UFDF-7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 660mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 87 ns

输入电容Ciss 907pF @10VVds

下降时间 239 ns

耗散功率Max 660mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 UDFN2020-6

外形尺寸

封装 UDFN2020-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMN2028UFDF-7
型号: DMN2028UFDF-7
制造商: Diodes 美台
描述:MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6

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