DMS3015SSS-13概述
DIODES INC. DMS3015SSS-13 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 8.5 mohm, 10 V, 1.5 V
是一款N沟道增强型MOSFET, 带肖特基二极管。DIOFET采用独特的专利工艺, 将MOSFET和肖特基单片集成到单芯片内。具有低栅极电容 Qg/Qgs比率, 从而降低了高频条件下穿通或交叉传导电流的影响。
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- 低RDS ON - 降低传导损耗
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- 低VSD-降低主体二极管导通引起的损耗
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- 低Qrr-肖特基二极管的低Qrr特性降低二极管的开关损耗
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- 绿色设备
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- 符合AEC-Q101标准, 高可靠性
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- J-STD-020标准, 湿度灵敏度等级为1
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- UL94V-0 阻燃等级
DMS3015SSS-13中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0085 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.55 W
阈值电压 1.5 V
输入电容 1276 pF
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 27.8 ns
输入电容Ciss 1276pF @15VVds
额定功率Max 1.55 W
下降时间 13.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.55W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, 车用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99