DMG1012T-7

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DMG1012T-7概述

DMG1012T 系列 20 V 400 mOhm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-523

MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523


立创商城:
N沟道 20V 630mA


贸泽:
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R


Allied Electronics:
MOSFET N-Channel 20V 0.63A SOT523


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R


Newark:
MOSFET, N CH, 20V, SOT-523


儒卓力:
**N-CH-FET+ESD 20V 0,63A SOT523 **


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523


DMG1012T-7中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.28 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.3 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 280 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 0.63A

上升时间 7.4 ns

输入电容Ciss 60.67pF @16VVds

额定功率Max 280 mW

下降时间 12.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 280 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-523-3

外形尺寸

封装 SOT-523-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

DMG1012T-7引脚图与封装图
DMG1012T-7封装焊盘图
在线购买DMG1012T-7
型号: DMG1012T-7
制造商: Diodes 美台
描述:DMG1012T 系列 20 V 400 mOhm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-523
替代型号DMG1012T-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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