DMG1012T 系列 20 V 400 mOhm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-523
MOSFET
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MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
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N沟道 20V 630mA
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MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
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Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R
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MOSFET N-Channel 20V 0.63A SOT523
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Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523
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Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R
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MOSFET, N CH, 20V, SOT-523
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**N-CH-FET+ESD 20V 0,63A SOT523 **
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
额定功率 0.28 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 280 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 0.63A
上升时间 7.4 ns
输入电容Ciss 60.67pF @16VVds
额定功率Max 280 mW
下降时间 12.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 280 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-523-3
封装 SOT-523-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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