DGD2103S8-13概述
DIODES INC. DGD2103S8-13 MOSFET/IGBT DRIVER, HALF BRIDGE, SOIC-8 新
半桥 栅极驱动器 IC 反相，非反相 8-SO
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
e络盟:
MOSFET/IGBT DRIVER, HALF BRIDGE, SOIC-8
艾睿:
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg 8-Pin SO T/R
Verical:
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg 8-Pin SO T/R
Newark:
# DIODES INC. DGD2103S8-13 MOSFET/IGBT DRIVER, HALF BRIDGE, SOIC-8 New
DGD2103S8-13中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 10.0V min
上升/下降时间 100ns, 35ns
针脚数 8
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 10V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99