DMN2075U-7 编带
表面贴装型 N 通道 20 V 4.2A(Ta) 800mW(Ta) SOT-23-3
得捷:
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
立创商城:
N沟道 20V 4.2A
贸泽:
MOSFET N-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet
艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this DMN2075U-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 800 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
Allied Electronics:
MOSFET N-Channel 20V 4.2A SOT23
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
DMN2075U 系列 20 V 38 mOhm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.4A; 0.8W; SOT23
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# DIODES INC. DMN2075U-7 MOSFET, N-CH, 20V, SOT-23-3
儒卓力:
**N-CH 20V 4,2A SOT-23 **
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.025 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 800 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 4.2A
上升时间 9.8 ns
输入电容Ciss 594.3pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 6.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 800mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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