DMN2075U-7

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DMN2075U-7概述

DMN2075U-7 编带

表面贴装型 N 通道 20 V 4.2A(Ta) 800mW(Ta) SOT-23-3


得捷:
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3


立创商城:
N沟道 20V 4.2A


贸泽:
MOSFET N-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this DMN2075U-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 800 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
MOSFET N-Channel 20V 4.2A SOT23


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
DMN2075U 系列 20 V 38 mOhm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.4A; 0.8W; SOT23


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# DIODES INC.  DMN2075U-7  MOSFET, N-CH, 20V, SOT-23-3


儒卓力:
**N-CH 20V 4,2A SOT-23 **


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23


DMN2075U-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.025 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 800 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 4.2A

上升时间 9.8 ns

输入电容Ciss 594.3pF @10VVds

额定功率Max 800 mW

下降时间 6.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 800mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DMN2075U-7
型号: DMN2075U-7
制造商: Diodes 美台
描述:DMN2075U-7 编带
替代型号DMN2075U-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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