MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
表面贴装型 N 通道 900mA（Ta） 400mW（Ta） U-DFN1212-3（C 类）
得捷: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
安富利: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
通道数 1
耗散功率 400mW Ta
阈值电压 450 mV
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 7.28 ns
输入电容Ciss 37pF @16VVds
下降时间 10.54 ns
封装 UDFN1212-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册