DMN2400UV-7概述
DMN2400UV-7 编带
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage | ±12 V 最大漏极电流IdDrain Current | 1.33A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 0.65Ω~1.5Ω VGS = 1.5V, ID = 50mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | 0.5v~0.9v 耗散功率PdPower Dissipation | 530mw/0.53W Description & Applications | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET.- .
- Low On-Resistance. * Low Gate Threshold Voltage. * Low Input Capacitance. * Fast Switching Speed . * Low Input/Output Leakage . * ESD Protected up to 2kV. 描述与应用 | 双N沟道增强型MOSFET。 *低导通电阻。 *低栅极阈值电压。 *低输入电容。 *开关速度快。 *低输入/输出漏。 *高达2kV的ESD保护。
DMN2400UV-7中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.3 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 530 mW
阈值电压 900 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1.33A
上升时间 7.28 ns
输入电容Ciss 36pF @16VVds
额定功率Max 530 mW
下降时间 10.54 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 530 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
外形尺寸
封装 SOT-563
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99