DMN1019USN-13概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 12 V, 0.007 ohm, 4.5 V, 530 mV
N-Channel 12V 9.3A Ta 680mW Ta Surface Mount SC-59
得捷:
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
立创商城:
N沟道 12V 9.3A
贸泽:
MOSFET 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
儒卓力:
**N-CH 12V 9,3A SC59 **
DMN1019USN-13中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.007 Ω
极性 N-CH
耗散功率 1.2 W
阈值电压 530 mV
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 9.3A
上升时间 57.6 ns
输入电容Ciss 2426pF @10VVds
额定功率Max 680 mW
下降时间 16.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 680mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99