DMTH6004SCTB-13

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DMTH6004SCTB-13概述

MOSFET N-CH

N-Channel 60V 100A Tc 4.7W Ta, 136W Tc Surface Mount TO-263AB


得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


DMTH6004SCTB-13中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 4.7 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 11.7 ns

输入电容Ciss 4556pF @30VVds

额定功率Max 4.7 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 4.7W Ta, 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMTH6004SCTB-13
型号: DMTH6004SCTB-13
制造商: Diodes 美台
描述:MOSFET N-CH

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