DMN6140L 系列 60 V 140 mOhm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23
表面贴装型 N 通道 60 V 1.6A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23
立创商城:
N沟道 60V 1.6A
得捷:
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23
贸泽:
MOSFET 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 1.6 A, 0.092 ohm, SOT-23, 表面安装
艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this DMN6140L-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 1300 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# DIODES INC. DMN6140L-7 MOSFET, N-CH, 20V, SOT-23-3
儒卓力:
**N-CH MOS-FET 1,6A 60V SOT23 **
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23
针脚数 3
漏源极电阻 0.092 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 700 mW
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 2.3A
上升时间 3.6 ns
输入电容Ciss 315pF @40VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 2.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DMN6140L-7 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DMN6140L-13 美台 | 类似代替 | DMN6140L-7和DMN6140L-13的区别 |