DCX114YU-7

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DCX114YU-7概述

特点•小信号互补预偏置双晶体管•外延平面电路小片建设•内置偏置电阻器?•无铅/ RoHS规定(注3)•表面贴装封装,适合于自动化装配

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V/-50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V/-50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/-100mA Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio| 0.21 Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio| 0.21 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 100~600 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Features •SMALL SIGNAL COMPLEMENTARY PRE-BIASED DUAL TRANSISTOR •Epitaxial Planar Die Construction •Built-In Biasing Resistors •Lead Free/RoHS Compliant Note 3 •Surface Mount Package Suited for Automated Assembly 描述与应用| 特点 •小信号互补预偏置双 •外延平面电路小片建设 •内置偏置电阻器? •无铅/ RoHS规定(注3) •表面贴装封装,适合于自动化装配

DCX114YU-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 68 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买DCX114YU-7
型号: DCX114YU-7
制造商: Diodes 美台
描述:特点•小信号互补预偏置双晶体管•外延平面电路小片建设•内置偏置电阻器?•无铅/ RoHS规定(注3)•表面贴装封装,适合于自动化装配
替代型号DCX114YU-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DCX114YU-7

Diodes 美台

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DCX114YU-7-F

美台

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DCX114YU-7和DCX114YU-7-F的区别

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