DMN2004K-7 编带
是一款N沟道增强型MOSFET, 模压塑料外壳, 可焊接, 镀雾锡退火合金42引线端子, 符合MIL-STD-202标准。该器件设计最大限度地降低导通电阻RDS ON, 同时具有卓越的开关性能, 适用于高效电源管理应用。
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.55 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 540 mA
上升时间 8.4 ns
正向电压Max 1 V
输入电容Ciss 150pF @16VVds
额定功率Max 350 mW
下降时间 37.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 国防, 军用与航空, 车用, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
军工级 Yes
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DMN2004K-7 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
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