DMP2160UW-7 编带
是一款P沟道增强型MOSFET, 模制塑料外壳, 可焊接雾锡退火合金42引线框架端子, 符合MIL-STD-202标准。
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 75 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 350 mW
阈值电压 600 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 1.5A
输入电容Ciss 627pF @10VVds
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2.15 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 国防, 军用与航空, 车用, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
军工级 Yes
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99