DPBT8105-7

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DPBT8105-7概述

三极管

三极管


得捷:
TRANS PNP 60V 1A SOT23-3


立创商城:
PNP 60V 1A


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 1A


艾睿:
Add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit with this PNP DPBT8105-7 GP BJT from Diodes Zetex. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.


Allied Electronics:
1A PNP Transistor SOT-23


安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3-Pin SOT-23 T/R


儒卓力:
**PNP TRANSISTOR 60V 1A SOT23 **


Win Source:
TRANS PNP 60V 1A SOT23-3


DPBT8105-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -1.00 A

额定功率 0.6 W

极性 PNP

耗散功率 300 mW

增益频宽积 150 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 5V

额定功率Max 600 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

DPBT8105-7引脚图与封装图
DPBT8105-7引脚图
DPBT8105-7封装焊盘图
在线购买DPBT8105-7
型号: DPBT8105-7
制造商: Diodes 美台
描述:三极管
替代型号DPBT8105-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DPBT8105-7

Diodes 美台

当前型号

当前型号

FMMT591TA

美台

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