DMG1016UDW-7

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DMG1016UDW-7概述

DIODES INC.  DMG1016UDW-7  双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N和P, 845 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1 V

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 1.07A,845mA 330mW 表面贴装型 SOT-363


立创商城:
DMG1016UDW-7


得捷:
MOSFET N/P-CH 20V SOT363


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 互补N与P沟道, 20 V, 845 mA, 0.3 ohm, SOT-363, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Allied Electronics:
MOSFET N/P-Ch 20V 1.066A/0.845A SOT363


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R


TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.85/-1.07A; 0.53W


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Newark:
# DIODES INC.  DMG1016UDW-7  MOSFET, N & P CH, 20V, SOT-363


儒卓力:
**N+P CHAN.FET+ESD 20V 1A SOT363 **


Win Source:
MOSFET N/P-CH 20V SOT363


DMG1016UDW-7中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.53 W

通道数 2

针脚数 6

漏源极电阻 0.3 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 330 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1.066A/0.845A

输入电容Ciss 60.67pF @10VVds

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

DMG1016UDW-7引脚图与封装图
DMG1016UDW-7引脚图
DMG1016UDW-7封装焊盘图
在线购买DMG1016UDW-7
型号: DMG1016UDW-7
制造商: Diodes 美台
描述:DIODES INC.  DMG1016UDW-7  双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N和P, 845 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1 V
替代型号DMG1016UDW-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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