晶体管, MOSFET, N沟道, 470 mA, 60 V, 1.1 ohm, 5 V, 2 V
MOSFET N-CH 60V SOT23
得捷:
MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 470 mA, 1.1 ohm, SOT-23, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R; 3K
针脚数 3
漏源极电阻 1.1 Ω
极性 N-CH
耗散功率 390 mW
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.47A
上升时间 301 ns
输入电容Ciss 12.9pF @12VVds
下降时间 440 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 390mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DMN61D8LQ-7 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DMN61D8LQ-13 美台 | 类似代替 | DMN61D8LQ-7和DMN61D8LQ-13的区别 |