N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE
表面贴装型 N 通道 10.4A(Ta) 1.55W(Ta) 8-SO
得捷:
MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 10.4A Automotive 8-Pin SO T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 10.4A 8-Pin SO T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 11A SO8
极性 N-Channel
耗散功率 1.55W Ta
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 10.4A
上升时间 24.4 ns
输入电容Ciss 2296pF @15VVds
额定功率Max 1.55 W
下降时间 6.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.55W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC