晶体管, MOSFET, N沟道, 4.1 A, 60 V, 0.068 ohm, 10 V, 3 V
表面贴装型 N 通道 60 V 4.1A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
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N沟道 60V 4.1A
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MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
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Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
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MOSFET N-Channel 60V 5.6A SOT223
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; SOT223
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**N-CHAN.MOS-FET 5,6A 60V SOT223 **
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MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
针脚数 4
漏源极电阻 0.068 Ω
极性 N-CH
耗散功率 3.7 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 5.6A
上升时间 10.8 ns
输入电容Ciss 502pF @30VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 8.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DMN6068SE-13 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
AUIRLL024NTR 英飞凌 | 功能相似 | DMN6068SE-13和AUIRLL024NTR的区别 |
DMN6068SEQ-13 美台 | 功能相似 | DMN6068SE-13和DMN6068SEQ-13的区别 |