DMN2013UFDE-7

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DMN2013UFDE-7概述

Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A Automotive 6Pin DFN EP T/R

表面贴装型 N 通道 10.5A(Ta) 660mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)


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DMN2013UFDE-7


得捷:
MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A Automotive 6-Pin DFN EP T/R


Allied Electronics:
MOSFET, N Channel, Trans, 20V 10.5A DFN6 EP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A Automotive 6-Pin DFN EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN


DeviceMart:
MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN


DMN2013UFDE-7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.03 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 10.5A

输入电容Ciss 2453pF @10VVds

额定功率Max 660 mW

耗散功率Max 660mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 UDFN2020-6

外形尺寸

封装 UDFN2020-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买DMN2013UFDE-7
型号: DMN2013UFDE-7
制造商: Diodes 美台
描述:Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A Automotive 6Pin DFN EP T/R

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