DMG6602SVT-7

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DMG6602SVT-7概述

DMG6602SVT-7 编带

MOSFET


立创商城:
DMG6602SVT-7


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6


贸泽:
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 3.4 A, 0.038 ohm, TSOT-26, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive 6-Pin TSOT-23 T/R


Allied Electronics:
Complem. Pair Enhancement MOSFET TSOT-23


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-23 T/R


TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.8/-3.4A; 1.112W


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive 6-Pin TSOT-23 T/R


儒卓力:
**N+P CHAN.FET 3,4/2,8 30V TSOT26 **


Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6


DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6


DMG6602SVT-7中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.112 W

通道数 2

针脚数 6

漏源极电阻 0.038 Ω

极性 N+P

耗散功率 1.27 W

阈值电压 2.3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3.4A/2.8A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 400pF @15VVds

额定功率Max 1.12 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1270 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

DMG6602SVT-7引脚图与封装图
DMG6602SVT-7引脚图
DMG6602SVT-7封装焊盘图
在线购买DMG6602SVT-7
型号: DMG6602SVT-7
制造商: Diodes 美台
描述:DMG6602SVT-7 编带

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