DMN4800LSSQ-13

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DMN4800LSSQ-13概述

N沟道 30V 8.6A

表面贴装型 N 通道 8.6A(Ta) 1.46W(Ta) 8-SO


立创商城:
N沟道 30V 8.6A


得捷:
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO


贸泽:
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 25Vgs 9A 16mOhm 1.6V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin SO T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A 6-Pin SOIC T/R


DMN4800LSSQ-13中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.7 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 4.5 ns

输入电容Ciss 798pF @10VVds

下降时间 8.55 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.46W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMN4800LSSQ-13
型号: DMN4800LSSQ-13
制造商: Diodes 美台
描述:N沟道 30V 8.6A

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