DMG9926UDM-7 编带
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 20V 4.2A 980mW 表面贴装型 SOT-26
得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
立创商城:
2个N沟道 20V 4.2A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
Allied Electronics:
Dual N-Channel Enhancement MOSFET TSSOP6
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin TSSOP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
Win Source:
MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
DeviceMart:
MOSFET N-CH DUAL 20V 4.2A SOT-26
极性 N-CH
耗散功率 0.98 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 4.2A
上升时间 8.2 ns
输入电容Ciss 856pF @10VVds
额定功率Max 980 mW
下降时间 8.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 980 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-23-6
封装 SOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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