DMG9926UDM-7

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DMG9926UDM-7概述

DMG9926UDM-7 编带

MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 20V 4.2A 980mW 表面贴装型 SOT-26


得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26


立创商城:
2个N沟道 20V 4.2A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive 6-Pin TSSOP T/R


Allied Electronics:
Dual N-Channel Enhancement MOSFET TSSOP6


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin TSSOP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive 6-Pin TSSOP T/R


Win Source:
MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26


DeviceMart:
MOSFET N-CH DUAL 20V 4.2A SOT-26


DMG9926UDM-7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 0.98 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 4.2A

上升时间 8.2 ns

输入电容Ciss 856pF @10VVds

额定功率Max 980 mW

下降时间 8.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 980 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-23-6

外形尺寸

封装 SOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买DMG9926UDM-7
型号: DMG9926UDM-7
制造商: Diodes 美台
描述:DMG9926UDM-7 编带
替代型号DMG9926UDM-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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